ИСТОРИЯ

История развития микроэлектроники — это неотъемлемая часть истории технического прогресса. Без всякого сомнения, «перво­толчком» к зарождению микроэлектроники послужило изобрете­ние американцами Дж. Бардином и У. Браттейном точечного транзистора. Это произошло в 1948 г. под крышей Bell Telephone Laboratories. Первые транзисторы изготавливались на основе гер­мания и были весьма несовершенны. В качестве основных недо­статков можно указать нестабильность характеристик и выраженную зависимость их от температуры, повышенный уровень шу­мов, малую мощность и высокую стоимость.

Следующий важный шаг в развитии транзисторной техники был связан с изобретением в 1951 г. плоскостного транзистора и практи­чески совпал по времени с массовым переходом от германия к крем­нию. Позднее опыт изготовления транзисторов, основанный на диф­фузии, способствовал разработке групповой технологии производ­ства транзисторов, что резко снизило их стоимость. В 1952 г. был изобретен полевый (униполярный) транзистор.

Днем рождения микроэлектроники следует считать появление интегральных схем. Первая ИС была выпущена фирмой Fairchild Semiconductor в 1961 г. и представляла собой триггер, собранный из четырех биполярных транзисторов и двух резисторов. С момента изобретения транзистора до появления микросхем прошло всего 13 лет. К середине 60-х годов XX в. интегральные схемы содержат до 100 элементов, а их номенклатура стремительно расширяется. В начале 70-х годов XX в. появляются первые БИС (большие интег­ральные схемы), содержащие на кристалле уже сотни и тысячи элементов размером от 3 до 100 мкм.

В 1971 г. появился первый микропроцессор. Однако история развития микропроцессоров заслуживает отдельного рассмотре­ния.

Значительный вклад в развитие микроэлектроники внесли со­ветские и российские ученые. За разработку полупроводниковых лазеров на основе гетеропереходов, без которых не обходится ни один современный компьютер, наш соотечественник Ж. И. Алфе­ров в 2001 г. был удостоен Нобелевской премии.